 |
| Toshiba: Pengganding foto pemacu get SiC MOSFET, TLP5814H dengan fungsi keselamatan yang ditingkatkan untuk peralatan industri individu. (Grafik: Business Wire) |
KAWASAKI, Jepun, 10 Mac (Bernama-BUSINESS WIRE) -- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") telah melancarkan pengganding foto pemacu get, “ TLP5814H,” dengan output +6.8A/-4.8A, dalam pakej SO8L bersaiz kecil, yang menggabungkan fungsi penjepit Miller aktif untuk mendorong silikon karbida (SiC) MOSFET. Penghantaran pukal bermula hari ini.
Dalam litar seperti pembalik, di mana MOSFET atau IGBT digunakan dalam siri, voltan get boleh dijana oleh arus Miller[1] apabila lengan bawah [2] dimatikan, menyebabkan kegagalan fungsi seperti litar pintas dalam lengan atas dan bawah[3]. Fungsi perlindungan yang selalu digunakan untuk mencegah perkara ini ialah aplikasi voltan negatif kepada get apabila ia dimatikan.
Bagi beberapa SiC MOSFET, yang biasanya menampilkan ciri-ciri voltan yang lebih tinggi, rintangan yang lebih rendah dan pertukaran yang lebih pantas berbanding (Si) MOSFET silikon, voltan negatif yang mencukupi tidak dapat digunakan antara get dan sumber. Dalam kes ini, litar penjepit Miller aktif boleh digunakan untuk mengalirkan arus Miller dari get ke tanah, mencegah litar pintas tanpa perlu menggunakan voltan negatif. Namun, ada reka bentuk dengan kos lebih rentah yang mengurangkan voltan negatif yang digunakan apabila IGBT dimatikan, dan dalam kes ini, pemacu get yang ada penjepit Miller aktif terbina dalam boleh dipertimbangkan sebagai pilihan.
Produk baharu ini mempunyai litar penjepit Miller aktif terbina dalam, jadi tidak ada keperluan untuk bekalan kuasa tambahan bagi voltan negatif dan litar penjepit Miller aktif dalaman. Ini memberikan fungsi keselamatan untuk sistem dan juga menggalakkan pengecilan sistem dengan mengurangkan bilangan litar luaran. Litar penjepit Miller aktif mempunyai rintangan saluran 0.69Ω (tip.) dan penarafan arus benam penjepit puncak 6.8A, menjadikannya sesuai sebagai pemacu get untuk SiC MOSFETs, yang amat sensitif terhadap perubahan dalam voltan get.
TLP5814H mempunyai penarafan suhu operasi -40 hingga 125°C, dicapai dengan meningkatkan output optikal diod yang memancarkan infrared di sebelah input dan mengoptimumkan reka bentuk peranti pengesan foto (susunan fotodiod)) untuk meningkatkan kecekapan penggandingan optikal. Ini menjadikannya sesuai untuk peralatan industri yang memerlukan pengurusan termal yang ketat, seperti pembalik fotovoltaik (PV) bekalan kuasa yang lancar (UPS). Masa lengah propagasi dan herotan lengah propagasi juga dinyatakan dalam julat penarafan suhu operasi. Pakejnya , SO8L bersaiz kecil, 5.85 × 10 × 2.1mm (tip.), membantu fleksibiliti susunan komponen pada papan sistem. Selain itu, ia menampilkan jarak perayauan minimum 8.0mm, membolehkan ia digunakan untuk aplikasi yang memerlukan prestasi penebat yang tinggi.
Toshiba akan terus membangunkan produk pengganding foto yang menyumbang kepada peningkatan fungsi keselamatan peralatan industri.
No comments:
Post a Comment