TOSHIBA MELANCARKAN MOSFET SIC GENERASI KETIGA MEREKA YANG MENYUMBANG KEPADA KECEKAPAN PERALATAN PERINDUSTRIAN YANG LEBIH TINGGI

- Susunan barisan yang meliputi produk 1200V dan 650V -

KAWASAKI, Jepun, 30 Ogos (Bernama-BUSINESS WIRE) -- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) telah melancarkan peranti kuasa baharu, “siri TWxxxNxxxC,” MOSFET silikon karbida (SiC) generasi ke-3^[¹][²] mereka yang menyampaikan rintangan yang rendah dan mengurangkan kehilangan pensuisan dengan ketara. Sepuluh produk, lima produk 1200V dan lima produk 650V, telah mula dihantar hari ini.

Siaran akhbar ini mempunyai ciri-ciri multimedia. Lihat siaran lengkap di sini:
https://www.businesswire.com/news/home/20220829005265/en/

Produk baharu itu mengurangkan rintangan pada setiap ruang unit (R_DS(ON)A) dengan sebanyak kira-kira 43%^[³], yang membolehkan cas rintangan pada sumber saliran * pintu saliran (R_DS(ON)*Q_gd), satu indeks penting yang mewakili perhubungan di antara kehilangan pengaliran dan kehilangan pensuisan, akan dikurangkan kira-kira 80%^[⁴]. Ini mengurangkan kehilangan pensuisan sebanyak kira-kira 20%^[⁵], dan menurunkan kedua-dua rintangan dan kehilangan pensuisan. Produk baharu itu menyumbang kepada kecekapan peralatan yang lebih tinggi.

Toshiba akan terus mengembangkan susunan barisan peranti kuasa mereka dan untuk meningkatkan kemudahan pengeluaran mereka, dan menyasarkan untuk merealisasikan sebuah ekonomi bebas karbon dengan menyediakan peranti kuasa berprestasi tinggi yang mudah untuk digunakan.

TOSHIBA MELANCARKAN MOSFET SIC GENERASI KETIGA MEREKA YANG MENYUMBANG KEPADA KECEKAPAN PERALATAN PERINDUSTRIAN YANG LEBIH TINGGI