TOKYO, 12 Jan (Bernama-BUSINESS WIRE) -- Toshiba
Corporation (TOKYO: 6502) Storage & Electronic Devices Solutions
Company hari ini mengumumkan pelancaran generasi kedua diod sawar schottky
(SBD) silikon karbida (SiC) 650V yang memperbaiki arus luruan ke hadapan (IFSM)
yang ditawarkan oleh produk semasa syarikat itu dengan kira-kira 70%.
Penghantaran bagi barisan baharu yang mengandungi lapan diod sawar schottky SiC
bermula hari ini.
Diod sawar schottky SiC baharu itu, yang direka dengan proses SiC generasi kedua Toshiba, menyampaikan peningkatan kira-kira 70% lebih baik arus luruan ke hadapan berbanding dengan produk generasi pertama, dan pada masa yang sama mengurangkan indeks kehilangan pensuisan “RON * Qc” [1] mengikut sekitar 30%, sekali gus menjadikan mereka sesuai untuk digunakan dalam skim pembetulan faktor kuasa yang efisien (PFC).
Diod sawar schottky SiC baharu itu, yang direka dengan proses SiC generasi kedua Toshiba, menyampaikan peningkatan kira-kira 70% lebih baik arus luruan ke hadapan berbanding dengan produk generasi pertama, dan pada masa yang sama mengurangkan indeks kehilangan pensuisan “RON * Qc” [1] mengikut sekitar 30%, sekali gus menjadikan mereka sesuai untuk digunakan dalam skim pembetulan faktor kuasa yang efisien (PFC).
No comments:
Post a Comment