TOKYO, 2 Feb (Bernama-BUSINESS WIRE) -- Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) Storage & Electronic
Devices Solutions Company hari ini mengumumkan pelancaran MOSFET kuasa saluran
N super junction 600V/650V dengan prestasi EMI yang dipertingkatkan untuk
digunakan di dalam peralatan industri dan pejabat. "Siri DTMOS V"
yang baharu itu akan bermula dengan barisan dua belas produk. Penghantaran
sampel bermula hari ini dengan penghantaran pengeluaran besar-besaran dijadualkan
pada pertengahan Mac.
Siri baharu itu mengekalkan tahap yang sama bagi
rintangan rendah dan prestasi pensuisan berkelajuan tinggi bagi "siri
DTMOS IV" semasa Toshiba, manakala satu proses reka bentuk yang
dioptimumkan meningkatkan prestasi EMI dengan kira-kira 3 hingga 5dB[1]. Di
samping itu, pengurangan pada prestasi rintangan bagi setiap ruang (RON x A)
memungkinkan untuk menambah satu produk baharu 650V 0.29Ω ke dalam barisan
pakej DPAK. Produk-produk di dalam siri baharu itu adalah sesuai untuk
digunakan di dalam bekalan kuasa bagi peralatan industri dan pejabat yang
memerlukan kecekapan yang tinggi dan saiz yang kompak, alat penyesuai dan
pengecas untuk komputer riba dan peranti mudah alih, dan komputer peribadi dan
mesin pencetak.
No comments:
Post a Comment