TOSHIBA LANCAR MOSFET SILIKON KARBIDA 1200V YANG MENYUMBANG KEPADA BEKALAN KUASA BERKECEKAPAN TINGGI

_{Toshiba: sebuah MOSFET silikon karbida (SiC) 1200V TW070J120B untuk peralatan perindustrian termasuk bekalan kuasa berkapasiti besar. (Grafik: Business Wire)}

TOKYO, 19 Okt (Bernama-BUSINESS WIRE) -- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) telah melancarkan “TW070J120B,” sebuah MOSFET silikon karbida (SiC) 1200V untuk aplikasi perindustrian yang termasuk bekalan kuasa berkapasiti besar. Penghantaran bermula hari ini.

Siaran media ini mempunyai ciri-ciri multimedia. Lihat siaran lengkap di sini:
https://www.businesswire.com/news/home/20201018005077/en/

MOSFET berkuasa yang menggunakan SiC, satu bahan baharu, mencapai rintangan bervoltan tinggi, pensuisan berkelajuan tinggi, dan On-rintangan rendah berbanding dengan produk MOSFET, IGBT silikon konvensional (Si). Oleh itu, ia akan menyumbang kepada penggunaan kuasa yang lebih rendah dan pengecilan saiz sistem.

Dicipta dengan reka bentuk cip generasi kedua Toshiba^[¹], yang meningkatkan kebolehpercayaan MOSFET SiC, peranti baharu itu merealisasikan kapasitans input rendah, satu caj input get rendah, dan On-rintangan saliran-ke-sumber yang rendah. Dibandingkan dengan “GT40QR21,” transistor dwikutub  get tertebat silikon 1200V Toshiba (IGBT), ia menghentikan kehilangan pensuisan mati dengan kira-kira 80% dan masa pensuisan (masa jatuh) dengan kira-kira 70%, dan pada masa yang sama menyampaikan ciri-ciri On-voltan rendah dengan satu saliran arus 20A atau kurang^[²].

Voltan ambang get ditetapkan dalam julat tinggi 4.2V sehingga 5.8V, yang mengurangkan risiko kerosakan (menghidupkan atau mematikan yang tidak disengajakan). Penggabungan bagi sebuah diod penghalang SiC Schottky (SBD) dengan voltan hadapan rendah juga membantu untuk mengurangkan kehilangan kuasa.

MOSFET baharu itu akan menyumbang kepada kecekapan yang lebih tinggi dengan mengurangkan kehilangan kuasa di dalam aplikasi perindustrian, seperti penukar AC-DC berkapasiti besar, penyongsang fotovoltan, dan penukar DC-DC dwiarah berkapasiti besar, dan akan juga menyumbang kepada pengurangan saiz peralatan.

Nota:
[¹] Siaran berita Toshiba pada 30 Julai, 2020: “Struktur Peranti Baharu Toshiba Meningkatkan Kebolehpercayaan MOSFET SiC”
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company/news/news-topics/2020/07/mosfet-20200730-1.html
[²] suhu ambien 25°C

Penggunaan

· Penukar AC-DC berkapasiti besar
· Penyongsang fotovoltan
· Penukar DC-DC dwiarah berkapasiti besar

Ciri-ciri

· Reka bentuk cip generasi kedua (SiC SBD terbina dalam)
· Voltan tinggi, kapasitans input rendah, caj get total rendah, On-rintangan rendah, voltan hadapan diod rendah, voltan ambang get tinggi:

V_DSS=1200V, C_iss=1680pF (jenis), Q_g=67nC (jenis), R_DS(ON)=70mΩ (jenis), V_DSF=-1.35V (jenis), V_th=4.2～5.8V

· Jenis peningkatan yang mudah untuk dikendalikan
 
Spesifikasi Utama



Ikuti pautan di bawah untuk maklumat lanjut mengenai produk baharu itu.
https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW070J120B

Untuk menyemak ketersediaan bagi produk baharu di pengedar dalam talian, sila layari:
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TW070J120B.html

Ikuti pautan di bawah untuk maklumat lanjut mengenai Toshiba MOSFET SiC.
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/mosfets/sic-mosfets.html

Ikuti pautan di bawah untuk maklumat lanjut mengenai Toshiba Peranti Kuasa SiC.
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/sic-power-devices.html

Pertanyaan Pelanggan:
Jabatan Pemasaran & Jualan Peranti Kuasa
Tel: +81-3-3457-3933
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

*Nama syarikat, nama produk, dan nama perkhidmatan adalah merupakan tanda perniagaan bagi syarikat mereka masing-masing.
*Maklumat di dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, kandungan bagi perkhidmatan dan maklumat perhubungan, adalah tepat pada tarikh pengumuman itu tetapi adalah tertakluk kepada perubahan tanpa notis terlebih dahulu.
 
Maklumat mengenai Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation menggabungkan kecergasan sebuah syarikat baharu dengan kebijaksanaan pengalaman. Sejak menjadi sebuah syarikat persendirian pada Julai 2017, syarikat itu telah mengambil tempatnya di kalangan syarikat peranti am yang terkemuka, dan menawarkan penyelesaian yang cemerlang kepada pelanggan dan rakan perniagaan mereka di dalam semikonduktor diskret, sistem LSI dan HDD.
 
Seramai 24,000 orang pekerja mereka di seluruh dunia berkongsi satu kesungguhan untuk memaksimumkan nilai produk mereka, dan memberi penekanan kepada kerjasama erat dengan pelanggan untuk menggalakkan penciptaan bersama bagi nilai dan pasaran baharu. Syarikat itu berharap untuk membina di atas jualan tahunan sekarang yang melebihi 750 bilion yen (AS$6.8 bilion) dan untuk menyumbang kepada suatu masa hadapan yang lebih baik untuk orang ramai di mana jua.
Perolehi maklumat lanjut mengenai Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation di https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

Lihat versi sumber di businesswire.com:
https://www.businesswire.com/news/home/20201018005077/en/

Hubungi

Pertanyaan Media:
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Jabatan Pemasaran Digital
Chiaki Nagasawa
Tel: +81-3-3457-4963
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Sumber : Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Teks bahasa sumber asal pengumuman ini adalah versi rasmi yang sahih. Terjemahan yang disediakan hanya sebagai penyesuaian sahaja, dan hendaklah di silang-rujuk dengan teks bahasa sumber, yang satu-satunya versi teks dengan kesan undang-undang.

--BERNAMA