TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION MENGELUARKAN MOSFET KUASA SALURAN N 100V UNTUK APLIKASI PERINDUSTRIAN DENGAN RINTANGAN YANG PALING RENDAH DALAM KELASNYA DI DALAM INDUSTRI

Memperluaskan barisan siri MOSFET kuasa U-MOS IX-H bervoltan rendah

TOKYO, 18 Dis (Bernama-BUSINESS WIRE) -- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation hari ini mula menghantar "TPH3R70APL" dan "TPN1200APL," penambahan 100V baharu kepada siri MOSFET kuasa U-MOS IX-H bervoltan rendah mereka. Peranti baharu itu sesuai untuk aplikasi pembekalan kuasa di dalam peralatan perindustrian.

Direka dengan proses trenc U-MOS IX-H bervoltan rendah yang terkini oleh syarikat itu, yang mengoptimumkan struktur elemen, TPH3R70APL dan TPN1200APL itu menyampaikan rintangan[1] yang paling rendah dalam kelasnya di dalam industri. Di samping itu, jika dibandingkan dengan peranti semasa yang menggunakan proses U-MOS VIII-H, peranti baharu itu mempunyai “RDS(ON) × Qoss” yang lebih rendah, caj output masa rintangan, dan “RDS(ON) × QSW”, caj suis get masa rintangan, angka-angka penting dalam merit bagi MOSFET untuk menukarkan aplikasi[2].

http://mrem.bernama.com/mrembm/viewsm.php?idm=10699